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海太半导体两行动晋升三代DDR4产物良率
发布是:2019-12-17
为好用提升化合物良率,提升中小企业战略合作力,海太半导设备从三方面动手实操不遗余力提升四代DDR4出化合的物质。一种是升级自测头作战案例,将PIN针型发展为片式插槽型,好用预防自测的基板自测头PIN针的一直严重破坏,保障机制化合物提取率。第二是升级每个商品自测基准点托板布置,它是经过了工作减薄自测基准点托板,使化合物锡球提升自己作战自测,故而提升尽早自测化合物辨别率,到头来提升化合物提取率。它是经过了工作大于统一行动,海太半导设备DDR4化合物良率已从96%提升至97.69%。 上一条:
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